图片仅供参考,产品以实物为准
规格书 |
SFT1440 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 600V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 1.5A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 8.1 Ohm @ 800mA, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | - |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 6.3nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 130pF @ 30V |
功率 - 最大 | 1W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
供应商器件封装 | TP |
包装材料 | Bulk |
包装 | 3TP |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 600 V |
最大连续漏极电流 | 1.5 A |
RDS -于 | 8100@10V mOhm |
最大门源电压 | ±30 V |
典型导通延迟时间 | 9.1 ns |
典型上升时间 | 15 ns |
典型关闭延迟时间 | 18 ns |
典型下降时间 | 19 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Bag |
最大门源电压 | ±30 |
包装宽度 | 2.3 |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 1000 |
最大漏源电压 | 600 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 8100@10V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | TP |
标准包装名称 | TO-251 |
最高工作温度 | 150 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 6.5 |
引脚数 | 3 |
包装高度 | 5.5 |
最大连续漏极电流 | 1.5 |
封装 | Bulk |
标签 | Tab |
铅形状 | Through Hole |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 1.5A (Ta) |
封装/外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
供应商设备封装 | TP |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 8.1 Ohm @ 800mA, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 1W |
漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 130pF @ 30V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 6.3nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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